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专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。
特点:
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新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.0 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM) - 用改良的高真空性能和优异的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
- 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
- 具有电子光学系统自动调整功能。