当前位置：网站首页|解决方案|SU8200在高加速电压下观察鳍式结构
采用高加速电压观察14纳米SRAM Fin-FET（静态随机存取存储器鳍式场效应晶体管），二次电子图像可以显示表面形貌，背散射图像可以同时观察内部结构。这是一种有效和方便的失效分析技术。