当前位置：网站首页|解决方案|使用SU8200和NP6800对先进工艺DRAM进行一致性分析
利用SU8230在低倍下可观察到2Xnm工艺的DRAM有明显的电位衬度，在高倍下可看到该区域为失效位置，且与其它区域有明显衬度区别。结合纳米探测测量I-V曲线测量发现，失效位置的漏电流比正常位置的电流值高一倍。