当前位置：网站首页|解决方案|采用场发射扫描电镜获得7纳米器件的电位衬度图像
采用低加速电压（300 V）下观察7 纳米SRAM器件。 不同的底层结构（PMOS / NMOS / Gate）会引起表面电势的不同，进而带来表面二次电子产额的细微差异。通过二次电子图像的电位衬度可以辨别不同的结构。