当前位置：网站首页|解决方案|使用FE-SEM SU9000对晶格像进行高精度测量
SRAM器件用NX2000 FIB制样，观察Si（111）晶向的SRAM器件样品。通过在512x512像素内，傅里叶变换，斑点衍射，反傅里叶变化方法，可以测出其单像素为0.01688nm，晶格间距3.14nm一共是186像素，所以可以通过这个方法精确测量。