当前位置：网站首页|解决方案|14 nm FinFET的低加速电压STEM观察和EDX分析
14nm的FinFET用FIB（NX5000）制样获得10nm厚度的样品，观察BF-STEM可以看到1.5nmHfO2，SiO2,和3nm的TiN层。DF-STEM及元素分析，可以得到高空间分辨率的元素分布图。