当前位置：网站首页|解决方案|硅及半导体FINFET的低损伤TEM样品制备-NX2000
本示例展示了利用NX2000制备了22nm节点的FinFET的截面TEM样品，经过Ar离子处理过后样品各个元器件清晰可见，损伤得到了有效消除。